Об этом говорится в объявлении Самсунг, поступившем в редакцию CNews.
Компания Самсунг анонсировала начало индустриального производства 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая призвана увеличить вместимость твердотельных накопителей. Все это в результате чего даст возможность ускорить рост рынков высокопроизводительных твердотельных дисков с высокой плотностью записи данных, — объявил Юнг Хьюн Джун, президент подразделения решений памяти, Самсунг Electronics. На одном кристалле такой микросхемы можно будет записать 256 гигабит (32 гигабайта) данных, другими словами вдвое больше, чем на выпускавшихся компанией до сих пор микросхемах. Отмечается, что это уже 3-е поколение флэш-памяти V-NAND. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.
Летом 2014-го Самсунг анонсировала второе поколение 3D V-NAND типа MLC с 32 слоями, что позволяло создавать чипы 128 Гбит либо 16 Гб. В совокупности каждый чип включает не менее чем 85,3 млрд ячеек. Емкость каждой ячейки составляет три бита. Работоспособность при этом подросла приблизительно на 40%.
В компании Самсунг убеждены, что новая память на 256 Гбит найдет свое применение в корпорациях и системах хранения информации — data-центрах.
