Компании SanDisk и Toshiba активно прокладывают себе путь к началу массовых поставок памяти BiCS (bit cost scalable) 3D NAND, запланированному на 2016 год. Совсем не так давно эти компании начали закупку оборудования для производства многослойных чипов NAND и собираются запустить пилотное производство уже в текущем году. Новинка стала первым в мире 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным приспособлением BiCS и использует передовую технологию TLC с тремя битами в любой ячейке. Кроме того, они наделены пониженным уровнем потребления энергии.
Память такого типа дает возможность увеличить объём, по сравнению с двумерными чипами NAND, при этом увеличив долговечность памяти при операциях чтения/записи, а еще увеличив скорость работы. Тем не наименее, подлинные скоростные показатели пока не приводятся — уполномоченные Toshiba сообщили, что скорость во многом зависит и от контроллера. Ее вариант технологии построения многослойных микросхем памяти называется V-NAND. Каждая ячейка содержит 2 бита данных. К примеру, ее можно встретить в 128-гигабайтной версии телефона Apple iPhone 6 Plus образца 2014-го. Постройка фабрики Fab2, заточенной под производство чипов флеш-памяти, закончится в первой половине 2016-го года. Она вскоре появится не только в будущих телефонах и планшетах топового уровня, однако и в картах памяти и твердотельных накопителях, а заодно и в гибридных жестких дисках. Партнёры никогда не докладывали данных о способностях нового производства, но подчеркивали, что площадь «чистых комнат» будет наращиваться в несколько фаз с учётом процесса перевода производственных мощностей с 2D NAND на 3D NAND.
